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臺積電(TSM.US)控告前副總裁羅維仁竊取芯片技術(shù)后加盟英特爾

臺積電(TSM.US)控告前副總裁羅維仁竊取芯片技術(shù)后加盟英特爾

近日,臺積臺積電(TSM.US)對前高級副總裁羅維仁(Wei - Jen Lo)提起訴訟,控告指控其在離職前竊取了與先進(jìn)半導體工藝相關(guān)的前副取芯專(zhuān)有技術(shù),并且違反了競業(yè)禁止條款,總裁同時(shí)觸犯了《商業(yè)秘密法》等法律法規。仁竊羅維仁在離職后加入了英特爾(INTC.US)。片技

臺積電表示,術(shù)后75歲的加盟羅維仁在臺積電擔任負責企業(yè)策略發(fā)展的職位,并在此期間對公司芯片制造技術(shù)做出了重要貢獻。英特之前有報道稱(chēng),臺積羅維仁在10月加盟英特爾前,控告曾帶走公司的前副取芯數據。

與此同時(shí),總裁英特爾首席執行官陳立武(Lip - Bu Tan)在接受采訪(fǎng)時(shí)否認了關(guān)于不當行為的仁竊指控。上周,片技中國臺灣經(jīng)濟部長(cháng)表示,已對羅維仁展開(kāi)調查。

截至發(fā)稿,臺積電的股價(jià)在周二盤(pán)前交易中小幅下跌,跌幅為0.46%,報283.33美元。

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